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星运里的错,什么是IGBT?IGBT绝缘栅双极晶体管的根本结构与特色,新能源电动汽车

admin 雷火电竞 2019-05-04 323 0

IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。

IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管范畴。

功率半导体元器件的特色除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管范畴)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。

依据其别离可支撑的开关速度,BIPOLAR适用于中速开关,MOSFET则适用于高频范畴。

IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件,经过这两者的复合化,既是运用电子与空穴两种载体的双极元件,一起也是统筹低饱满电压(与功率MOSFET的低导通电阻适当)和较快的开关特性的晶体管。

虽然其具有较快的开关特性,但仍比不上功率MOSFET,这是IGBT的缺点。

【功率元器件的根本结构与特色】

MOSFETBIPOLAR

IGBT

根本结构

操控

栅极电压

基极电流

栅极电压

容许电流

开关

导通电阻

MOSFET是指半导体元件的结构为Metal(金属)- Oxide(半导体氧化物)- Semiconductor(半导体)的三层结构的Field-Effect Transistor(场效应晶体管)。BIPOLAR是指运用了双极性元件,将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流作业型晶体管。

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